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产品型号APS04N60H的概述

APS04N60H芯片概述 APS04N60H是一款高压MOSFET(MOS场效应管),广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动以及其他功率转换应用。该芯片由知名半导体制造商生产,凭借其优越的电气特性和可靠的性能,满足了现代电源设计的各种需求。 APS04N60H的详细参数 APS04N60H拥有一系列引人注目的技术参数,使其在电源转换设计中成为优选组件。以下是芯片的关键性能参数: - 最大漏极-源极电压(V_DS):600V - 最大漏极电流(I_D):4A - 栅极-源极电压(V_GS):±20V - 输入电容(C_iss):约1600pF - 输出电容(C_oss):约60pF - 反向恢复时间(t_rr):约30ns - R_DS(on)(在V_GS=10V时):约0.9Ω 这些参数意味着APS04N60H能够在高电压环境下正常工作,同时具有较低的导通阻抗,允许芯片在承载高电流时...
配单直通车
APS04N60H-HF产品参数
型号:APS04N60H-HF
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):8 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:620 V
最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:2.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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