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APTGT100H60T3G产品参数
型号:APTGT100H60T3G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数:25
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.47
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X25
JESD-609代码:e1
元件数量:4
端子数量:25
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):340 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):370 ns
标称接通时间 (ton):180 ns
VCEsat-Max:1.9 V
Base Number Matches:1
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