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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 封装MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK 
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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APT6029SLLG产品参数
型号:APT6029SLLG
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.13
雪崩能效等级(Eas):1210 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):21 A
最大漏源导通电阻:0.29 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):84 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:PURE MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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