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产品型号APT47F60J的概述

APT47F60J 概述 APT47F60J是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于各种电力应用和开关电源中。该芯片是由APT(Advanced Power Technology)公司设计和制造,主要应用于高压、大电流的功率转换和控制场合。APT47F60J的技术特点使其在工业、电源和其他电子设备中广泛使用。 详细参数 APT47F60J具有以下主要技术参数: - 最大漏极-源极电压 (V_DS): 600V - 最大漏极电流 (I_D): 47A - 最大脉冲电流 (I_D,pulse): 150A - R_DS(on) 引脚间导通电阻: 0.045Ω - 门源阈值电压 (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V - 门源电压 (V_GS): ±20V - 功耗 (P_D): 94W - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C - 封装类型: ...
配单直通车
APT47F60J产品参数
型号:APT47F60J
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:ISOTOP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数:4
制造商包装代码:ISOTOP
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76
其他特性:AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas):1845 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):49 A
最大漏源导通电阻:0.09 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):245 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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