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产品型号APT15D100BG的概述

芯片APT15D100BG概述 APT15D100BG是一款功率MOSFET,广泛应用于电源转换、开关电源、直流-直流转换器和各种工业电路中。该芯片由Advanced Power Technology(APT)公司生产,专注于高功率电路的设计与开发。作为一款N沟道功率MOSFET,APT15D100BG具备高电流承载能力、低导通阻抗和高开关速度等特点,使其在高频应用中表现出色。 APT15D100BG的设计目的是满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。由于其在热管理和电气性能方面的优越性,APT15D100BG被广泛应用于各种转换器及调节电路。 芯片APT15D100BG的详细参数 APT15D100BG的主要电气参数包括: 1. 材料类型:N沟道MOSFET 2. 最大漏极源极电压(Vds):100V 3. 最大漏极电流(Id):15A 4. 导通电阻(Rds(on)):约 0.2Ω...
配单直通车
APT15D100BG产品参数
型号:APT15D100BG
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
包装说明:R-PSFM-T2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.69
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最大输出电流:15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.028 µs
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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