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APT10053LNR产品参数
型号:APT10053LNR
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.53 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-264AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:520 W
最大功率耗散 (Abs):520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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