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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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产品型号AP02N60H的概述

AP02N60H 芯片概述 AP02N60H是一种高功率MOSFET,广泛应用于电源转换与开关电路中。这款N沟道功率MOSFET具备良好的电气特性,能够在高电压和高电流条件下稳定工作,适用于各种电子设备和工业应用。得益于其低导通电阻和快速开关特性,AP02N60H在高频操作中表现出色,帮助提升了系统的效率。 详细参数 AP02N60H的主要技术参数包括: - 最大漏极-源极电压(V_DS): 650V - 最大漏极电流(I_D): 2.8A - 门极阈值电压(V_GS(th)): 2V至4V - 导通电阻(R_DS(on)): 0.5Ω(在10V V_GS情况下) - 输入电容(C_iss): 1700pF(在25°C时) - 开关损耗: 通过合理设计电路可以实现低损耗 - 工作温度范围: -55°C至+150°C 这款芯片的高耐压和出色的热性能,使其在使用中具有更加优越的稳定性與可靠...
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AP02N60H产品参数
型号:AP02N60H
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64
雪崩能效等级(Eas):64 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):1.6 A
最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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