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  • 集好芯城

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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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产品型号AP85T03GH的概述

芯片AP85T03GH的概述 AP85T03GH是一种高性能的功率MOSFET,主要用于电源管理、电机驱动、逆变器和开关电源等应用。鉴于其低导通电阻和快速开关特性,AP85T03GH在现代电子设计中得到了广泛的应用。随着电子设备对效率和响应速度的不断追求,该芯片成为了工程师们实现高效能应用的理想选择。 AP85T03GH以其卓越的电气性能和可靠的热管理能力,使其在高频和高效工作的条件下依然能够保持稳定的表现。该芯片通常用于要求高效率和高可靠性的电源解决方案,尤其在电源转换和功率调节等领域表现优异。该MOSFET能够有效降低开关损耗,提升整体能效,使得其在现代电力电子中愈发重要。 芯片AP85T03GH的详细参数 AP85T03GH的主要电气参数如下: 1. 最大漏极-源极电压(V_DS): 30V 2. 最大源极-体二极管电流(I_D):80A 3. 导通电阻(R_DS(on)): 1...
配单直通车
AP85T03GH产品参数
型号:AP85T03GH
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.63
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.006 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):350 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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