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| 型号: | AD781SQ |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | CERAMIC, DIP-8 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.18 |
| 最长采集时间： | 0.7 µs |
| 标称采集时间： | 0.6 µs |
| 放大器类型： | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT |
| 最大模拟输入电压： | 5 V |
| 最小模拟输入电压： | -5 V |
| 最大下降率： | 1 V/s |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 负供电电压上限： | -15 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -12 V |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-12 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 采样并保持/跟踪并保持： | SAMPLE |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Sample and Hold Circuit |
| 最大压摆率： | 7 mA |
| 供电电压上限： | 15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 12 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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